av资源每日更新网站在线,婷婷精品视频在线观看

首頁 >IRFP130>規(guī)格書列表

零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
IRFP130	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFR130A	文件：262.87 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR130A	文件：373.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR130ATM	文件：263.56 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFR130ATM	文件：979.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFRU130A	文件：261.31 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFS130	文件：265.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU130A	文件：262.87 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRFU130A	文件：397.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFY130	文件：18.73 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130C	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130C	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130CM	文件：338.54 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=14.4A) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130CM	文件：167.81 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRFY130M	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY130M	文件：167.51 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirementsEaseofParallelingHermeticallySealed HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. Features: ■SimpleDriveRequirements ■EaseofParalleling ■Hermetically	IRF International Rectifier	IRF
IRKT130	文件：1.46026 Mbytes Page：5 Pages	POWERMODULE	IRI Information Resources, Inc. IRI	IRI

12 3 >>>

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFP130
制造商：
SAMSUNG
制造商全稱：
Samsung semiconductor
功能描述：
N-CHANNEL POWER MOSFETS

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	IRFP130	IR	23+	TO247	28888	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFP130	IR	22+	TO-247	6000	終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	IRFP130	IR	23+	TO-247	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	IRFP130	IR	23+	TO-247	7000		詢價
深圳市宏世佳電子科技有限公司	IRFP131	IR	2023+	TO-247	4675	全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售	詢價
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRFP1310N	IR	N/A	主營模塊	190	原裝正品,現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRFP140	IR	23+	TO-247	35890		詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFP140		24+		1100		詢價
深圳市星佑電子有限公司	IRFP140	IR	06+	TO-247	800	全新原裝絕對有貨	詢價
深圳市弘為電子有限公司	IRFP140	IR	16+	原廠封裝	300	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價

更多IRFP130供應(yīng)商更新時間2024-12-24 11:10:00

詳細(xì)參數(shù)

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫存