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IRFP150N

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP150N

44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET

Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.030?,VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER?ElectricalModels -SpiceandSABER?ThermalImpedanceModels ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRFP150N

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP150N

HEXFET Power MOSFET

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

IRFP150N

100V,60A Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

IRFP150NPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRFP150N_18

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP150NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFP150NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRFP150PBF

PowerMOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFP150N

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

  • RoHS：

    否

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR(國(guó)際整流器)
2023+
N/A
4550
全新原裝正品
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO 3P
161400
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
IR
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO-3P
5500
現(xiàn)貨,全新原裝
 詢(xún)價(jià)
IR
04+
TO-247
1000
自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨
 詢(xún)價(jià)
IR
15+
TO-247
11560
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存,長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢(xún)價(jià)
IR
23+
TO-247
18689
詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO247
6800
絕對(duì)原裝!真實(shí)庫(kù)存!
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢(xún)價(jià)
IR
24+
TO-3P
5225
詢(xún)價(jià)
更多IRFP150N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 9:00:00

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