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IRFD110PBF

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRFD110PBF

Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFD110PBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFE110

HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18)

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET?TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners

IRF

International Rectifier

IRFE110

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRFE110

MultipleSmall-SignalTransistors

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

IRFF110

3.5A,100V,0.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching

Intersil

Intersil Corporation

IRFF110

PowerMOSField-EffectTransistors

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ?SOAisPowerDissipationLimited ?NanosecondSwitchingSpeeds ?LinearTransferCharacteristics ?HighInputImpedance ?Majoritycarrierdevice

GESS

GE Solid State

IRFF110

N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39

SEME-LAB

Seme LAB

IRFF110

IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE

TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFD110PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY
24+
DIP-4
20540
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
VISHAY
2020+
DIP-4
9600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
24+
4-HVMDIP
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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VISHAY/威世
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10000
只做原裝歡迎含稅交易,假一賠十,放心購買
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專注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定
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只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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VISHAY
1518PH
DIP-4
5000
原廠直銷
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VISHAY/威世
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DIP4
5342
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
VISHAY/威世
21+
DIP4
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
更多IRFD110PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-8 16:29:00

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