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IRFBG30PBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IRFBG30PBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
4.03867 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Kersemi Electronic Co., Ltd. |
| 企業(yè)簡稱 |
KERSEMI |
| 中文名稱 | Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-21 18:02:00 |
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IRFBG30PBF規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? Repetitive Avalanche Rated
? Fast Switching
? Ease of Paralleling
? Simple Drive Requirements
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFBG30PBF
- 功能描述：
MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
20+ |
TO-220 |
793 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
VISHAY |
TO-220 |
6500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
VISHAY |
23+ |
TO-220 |
8560 |
原包裝原標(biāo)簽特價銷售 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220AB |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
22000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
12000 |
原廠原裝,價格優(yōu)勢!13246658303 |
詢價 | ||
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-220AB |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
TO220 |
20540 |
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 |
