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IRFBG30PBF中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFBG30PBF
廠商型號(hào)

IRFBG30PBF
功能描述

Power MOSFET
文件大小

4.03867 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-1-6 20:00:00

IRFBG30PBF規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

? Simple Drive Requirements

? Lead (Pb)-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFBG30PBF

  • 功能描述：

    MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
NA/
20
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
 詢價(jià)
VISHAY
23+
TO220
20540
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
VISHAY(威世)
23+
TO220
6000
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤
 詢價(jià)
IR
920
1911
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
IR
TO-220
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO-220
36880
只做原裝,QQ詢價(jià)有詢必回
 詢價(jià)
IR
2223+
TO-220
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
 詢價(jià)
VISHAY
16+
TO220
5
全新原裝只做自己庫(kù)存只做原裝
 詢價(jià)
VISHAY
2018+
26976
代理原裝現(xiàn)貨/特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)

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