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This advanced power MOSFET is designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Features
? 1.0A, 100V
? rDS(ON) = 0.6?
? Single Pulse Avalanche Energy Rated
? SOA is Power Dissipation Limited
? Nanosecond Switching Speeds
? Linear Transfer Characteristics
? High Input Impedance
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFD9120
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
delco |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢(xún)價(jià) | |||
IR |
22+ |
DIP4 |
37240 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2023+ |
DIP4 |
80000 |
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
2013 |
SOP |
3000 |
全新 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
13 |
8820 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
HVMDIP-4 |
30000 |
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
DIP |
6688 |
4 |
現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢(xún)價(jià) | ||
IR |
24+ |
原廠封裝 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
HARRIS/MOT |
23+ |
NA/ |
5171 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
HEXDIP |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢(xún)價(jià) |
