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IRFD9120中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFD9120
廠商型號(hào)

IRFD9120

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.0209 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

IRFD9120規(guī)格書詳情

FEATURES

? Dynamic dv/dt rating

? Repetitive avalanche rated

? For automatic Insertion

? End stackable

? P-channel

? 175 °C operating temperature

? Fast switching

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable

case style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1 pin centers. The dual drain serves as a thermal

link to the mounting surface for power dissipation levels up

to 1 W.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFD9120

  • 功能描述:

    MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
HARRIS/MOT
23+
NA/
5171
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
Infineon/英飛凌
21+
HEXDIP
6000
原裝現(xiàn)貨正品
詢價(jià)
IR
2016+
DIP4
3000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價(jià)
SILICONIX
23+
DIP
20000
全新原裝假一賠十
詢價(jià)
IR
2020+
HD-1
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
IR
23+
TO-220
4500
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售
詢價(jià)
delco
24+
500000
行業(yè)低價(jià),代理渠道
詢價(jià)
IOR
2016+
DIP4
6528
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
詢價(jià)
IOR
23+
DIP4
3000
房間現(xiàn)貨
詢價(jià)
23+
TO-220
12800
專注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定
詢價(jià)