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IRFF112中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFF112
廠商型號

IRFF112

功能描述

IM-CHANIMEL POWER MOSFETs TO-39 PACKAGE

文件大小

474.27 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-4 22:30:00

IRFF112規(guī)格書詳情

The HEXFET transistors also feature all of the well established advantages of MOSFETs such as voltage control, freedom from second breakdown, very fast switching, ease of paralleling, and temperature stability of the electrical parameters.

They are well suited for applications such as switching Dower supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy pulse circuits.

Features:

? FastSwitching

? Low Drive Current

? Ease of Paralleling

? NoSecond Breakdown

? Excellent Temperature Stability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFF112

  • 制造商:

    GESS

  • 制造商全稱:

    GESS

  • 功能描述:

    Power MOS Field-Effect Transistors

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