IRFF120中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IRFF120 |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors |
| 文件大小 |
165.85 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GE Solid State |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GESS |
| 中文名稱 | GE Solid State |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-16 23:00:00 |
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IRFF120規(guī)格書詳情
5.0A and 6.0A, 60V-100V rDS(0n) = 0.30Ω and 0.40Ω
Features:
■ SOA is power-dissipation limited
■ Nanosecond switching speeds
■ Linear transfer characteristics
■ High input impedance
■ Majority carrier device
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFF120
- 制造商：
International Rectifier
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin TO-39
- 功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 6A 3PIN TO-39 - Bulk
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 6A TO-
- 功能描述：
MOSFET, N, TO-39
- 功能描述：
Single N-Channel 100 V 20 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39-3
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 6A TO-205AF; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
6A; Drain Source Voltage
- Vds：
100V; On Resistance
- Rds(on)：
300mohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
4V ;RoHS
- Compliant：
No
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
150 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
NS |
2020+ |
CAN3 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
NS |
9236+ |
CAN3 |
602 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
CN3 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
HARRIS |
23+ |
CAN3 |
3000 |
全新原裝、誠信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
INTERSIL |
24+ |
TO-39 |
850 |
詢價(jià) | |||
21+ |
CAN |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | |||
HARRIS |
18+ |
CAN3 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
CN3 |
7000 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) |
