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IRFI510G_V01

Power MOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?175°Coperatingtemperature ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHFI510G_V01

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多IRFI510G_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 11:10:00

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