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IRFI620G中文資料IRF數據手冊PDF規(guī)格書

IRFI620G
廠商型號

IRFI620G
功能描述

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.1A)
文件大小

173.31 Kbytes
頁面數量

6 頁
生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-21 22:30:00
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IRFI620G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applications. The molding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product. The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or by a single screw fixing.

? Isolated Package

? High Voltage Isolation=2.5KVRMS

? Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mm

? Dynamic dV/dt Rating

? Low Thermal Resistance

產品屬性

  • 型號：

    IRFI620G

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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