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IRFI820G_V01

Power MOSFET

FEATURES ?Isolatedpackage ?Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm ?DynamicdV/dtrating ?Lowthermalresistance ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHFI820G_V01

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多IRFI820G_V01供應(yīng)商 更新時間2025-1-21 14:30:00

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