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IRFIBE30G中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFIBE30G
廠商型號(hào)

IRFIBE30G

功能描述

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)

文件大小

142.44 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 8:30:00

IRFIBE30G規(guī)格書(shū)詳情

HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFIBE30G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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