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IRFIBC30GPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
IRFIBC30GPBF |
| 功能描述 | Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.31819 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-25 11:12:00 |
| 人工找貨 | IRFIBC30GPBF價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRFIBC30GPBF規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead (Pb)-free Available
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFIBC30GPBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-220FP |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
SILICONIX (VISHAY) |
23+ |
NA |
1000 |
公司原裝 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 Isolated Tab |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IR/VISH |
24+ |
65230 |
詢價(jià) | ||||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220FP |
3800 |
只做原裝，歡迎詢價(jià)，量大價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-220FP |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
