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IRFIBF30GPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFIBF30GPBF
廠商型號

IRFIBF30GPBF

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

920.99 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-3 19:10:00

IRFIBF30GPBF規(guī)格書詳情

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

? Isolated Package

? High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS

? Sink to Lead Creepage Dis. = 4.8 mm

? Dynamic dV/dt Rating

? Low Thermal Resistance

? Lead-Free

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFIBF30GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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