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IRFMJ044	文件：245.33 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFMJ044	文件：239.98 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETSURFACEMOUNT(D3PAK)	IRF International Rectifier	IRF
IRFN044	文件：211.52 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.040ohm,Id=44A) RDS(on)0.04? ID44A HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-established	IRF International Rectifier	IRF
IRFN044	文件：137.5 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFN044SMD	文件：22.51 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP044	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP044	文件：170.96 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.028ohm,Id=57A) Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044N	文件：105.25 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.020ohm,Id=53A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044N	文件：335.02 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤20m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044NPBF	文件：1.54744 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP044PBF	文件：1.996 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP044PBF	文件：1.76262 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044	文件：14.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY044	文件：161.14 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：161.43 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：161.43 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFET PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY044C0.040?16ACeramic IRFY044CM0.040?16ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-s	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044C	文件：14.59 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY044CM	文件：281.28 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=60V,Rds(on)=0.040ohm,Id=16A) PartNumberRDS(on)IDEyelets IRFY044C0.040?16ACeramic IRFY044CM0.040?16*ACeramic HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-s	IRF International Rectifier	IRF
IRFY044M	文件：15.59 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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詳細參數

型號：
IRFM044D
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFM044SCV	IR	22+	TO-254A	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	IRFM044SCV	IR	23+	TO-254A	8000	只做原裝現貨	詢價
天津市博通航睿技術有限公司	IRFM044SCV	IR	23+	TO-254A	7000		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFM054	IRF	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	IRFM054		23+	NA	70	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
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深圳市納立科技有限公司	IRFM054	IR	三年內		1983	只做原裝正品	詢價
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	IRFM054	N/A	23+	NA	66800	原廠授權一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價
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更多IRFM044D供應商更新時間2025-1-7 14:00:00

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