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IRFP21N60LPBF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFP21N60LPBF
廠商型號(hào)

IRFP21N60LPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

162.12 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

IRFP21N60LPBF規(guī)格書詳情

Power MOSFET

FEATURES

? Superfast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications

? Lower Gate Charge Results in Simple Drive Requirements

? Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

? Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity

? Lead (Pb)-free Available Available

APPLICATIONS

? Zero Voltage Switching SMPS

? Telecom and Server Power Supplies

? Uniterruptible Power Supplies

? Motor Control Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFP21N60LPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 21 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Vishay(威世)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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