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IRFR024TRL	文件：4.50222 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024TRL	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFRU024N	文件：178.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=17A??	IRF International Rectifier	IRF
IRFU024	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignedwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	IRF International Rectifier	IRF
IRFU024	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFU024	文件：4.50222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU024	文件：1.04466 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFU024	文件：345.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU024	文件：1.06651 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Surface-mount(IRFR024,SiHFR024) ?Straightlead(IRFU024,SiHFU024) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFU024N	文件：178.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.075ohm,Id=17A??	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR024TRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFR024TRL	IR	24+	TO-252	36800		詢價(jià)
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更多IRFR024TRL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:30:00

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