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IRFR1205TRPBF

UltraLowOn-Resistance

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRFR1205TRPBF

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRFR1205TRR

UltraLowOn-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFR1205TRRPBF

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

IRFRU1205

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A??

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFU1205

PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.027ohm,Id=44A??

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRFU1205

UltraLowOn-Resistance

Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ?Ultr

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRFU1205

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFU1205PBF

HEXFETPowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRFU1205PBF

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRFR1205TRLPBF

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-252
6
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
2016+
TO-252
6528
房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
IR
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
22+23+
TO-252
26870
絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨
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International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
Infineon Technologies
21+
D-Pak
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100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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1809+
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更多IRFR1205TRLPBF供應商 更新時間2025-1-22 15:00:00

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