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IRFR1018EPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRFR1018EPBF
廠商型號

IRFR1018EPBF

功能描述

High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

文件大小

374.37 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-10-25 15:22:00

IRFR1018EPBF規(guī)格書詳情

Benefits

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

? Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Applications

? High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

? Uninterruptible Power Supply

? High Speed Power Switching

? Hard Switched and High Frequency Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IRFR1018EPBF

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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