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IRFR120TR中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRFR120TR
廠商型號(hào)

IRFR120TR
功能描述

HEXFET POWER MOSFET
文件大小

179.46 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-18 14:30:00

IRFR120TR規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

? Dynamic dV/dt Rating

? Repetitive Avalanche Rated

? Surface Mount (IRFR120)

? Straight Lead (IRFU120)

? Available in Tape & Reel

? Fast Switching

? Ease of Paralleling

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRFR120TR

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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