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IRFR1N60ATR中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRFR1N60ATR
廠商型號(hào)

IRFR1N60ATR

功能描述

Power MOSFET

文件大小

156.53 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-25 15:28:00

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IRFR1N60ATR規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

? Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

? Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

? Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Switch Mode Power Supply (SMPS)

? Uninterruptible Power Supply

? Power Factor Correction

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

? Low Power Single Transistor Flyback

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRFR1N60ATR

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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