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IRFU2405	文件：129.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.016ohm,Id=56A?? Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405	文件：901.79 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2405	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU2405PBF	文件：217.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405PbF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405PBF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRFU2405PBF	文件：3.83412 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2405PBF	文件：3.82933 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2405)StraightLead(IRFU2405)AdvancedProcessTechnology Description SeventhGenerationHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IS2405SA	文件：59.73 Kbytes Page：1 Pages	DC-DCPowerSupplies	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISA2405	文件：401.31 Kbytes Page：3 Pages	DC-DCConverter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISA2405	文件：273.25 Kbytes Page：3 Pages	DC-DCConverter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISE2405A	文件：316.6 Kbytes Page：3 Pages	ISESeriesDC-DCConverter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISE2405A	文件：316.6 Kbytes Page：3 Pages	DC-DCConverter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISF2405A	文件：108.9 Kbytes Page：1 Pages	Single&DualOutput	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISF2405A	文件：524.98 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISH2405A	文件：276.74 Kbytes Page：3 Pages	DC-DCConverter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISK2405A	文件：262.6 Kbytes Page：3 Pages	DC-DCConverter	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISL2405	文件：209.48 Kbytes Page：1 Pages	SingleandDualRegulatedOutputs	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISL2405A	文件：209.48 Kbytes Page：1 Pages	SingleandDualRegulatedOutputs	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
ISP2405	文件：91.45 Kbytes Page：1 Pages	SingleandDualRegulatedOutputs	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFR2405TRR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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