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IRL3103	文件：214.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdds=30V,Rds(on)=12mohm,Id=64A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103	文件：339.16 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL3103L	文件：125.18 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=12mohm,Id=64A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103L	文件：158.09 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103LPBF	文件：648.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103PBF	文件：190.11 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103PBF	文件：190.11 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103S	文件：100.38 Kbytes Page：17 Pages	5-BITPROGRAMMABLESYNCHRONOUSBUCK,NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLELDOAND200mAON-BOARDLDO DESCRIPTION TheIRU3007controllerICisspecificallydesignedtomeetIntelspecificationforPentiumII?microprocessorapplicationsaswellasthenextgenerationofP6familyprocessors.TheIRU3007providesasinglechipcontrollerICfortheVcore,LDOcontrollerforGTL+andaninternal20	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103S	文件：125.18 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=12mohm,Id=64A) Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103S	文件：263.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL3103SPBF	文件：648.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRL3103SPBF	文件：656.95 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3103	文件：153.22 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3103PBF	文件：291.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103TR	文件：215.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103TRPBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3103TRPBF	文件：1.14288 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR3103TR
功能描述：
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市鵬和科技有限公司	IRFR3103TR	IR	24+	SOT-252	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	IRFR3103TR	IR	23+	TO-252	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IRFR3103TR	Infineon Technologies	21+	D-Pak	2000	100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營)!	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFR3103TR	INFINEON	1503+	TO-252	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	IRFR3103TR	IR	23+	DPAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFR3103TR	Infineon Technologies	22+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	IRFR3103TR	Infineon Technologies	21+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFR3103TR	Infineon Technologies	23+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	IRFR3103TR	Infineon Technologies	24+	原裝	5000	原裝正品,提供BOM配單服務(wù)	詢價(jià)

更多IRFR3103TR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-18 10:22:00

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