首頁 >IRL3103L>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRL3103L

Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=12mohm, Id=64A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRL3103L

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRL3103LPBF

HEXFET? Power MOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRL3103PBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRL3103PBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL3103S

5-BITPROGRAMMABLESYNCHRONOUSBUCK,NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLELDOAND200mAON-BOARDLDO

DESCRIPTION TheIRU3007controllerICisspecificallydesignedtomeetIntelspecificationforPentiumII?microprocessorapplicationsaswellasthenextgenerationofP6familyprocessors.TheIRU3007providesasinglechipcontrollerICfortheVcore,LDOcontrollerforGTL+andaninternal20

IRF

International Rectifier

IRL3103S

PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=12mohm,Id=64A)

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRL3103S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRL3103SPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRF

International Rectifier

IRL3103SPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

詳細參數

  • 型號：

    IRL3103L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
TO-262
501175
免費送樣原盒原包現貨一手渠道聯系
 詢價
IR
2010+
4650
原裝正品現貨庫存價優(yōu)
 詢價
IR
24+
TO-262
799
詢價
IR
2015+
TO-262
12500
全新原裝,現貨庫存長期供應
 詢價
ir
06+
TO-262
15000
原裝庫存
 詢價
IR
23+
TO-262
7600
全新原裝現貨
 詢價
IR
23+
TO-262
35890
詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IR
23+
TO-262-3
11846
一級代理商現貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
24+
TO-262
12500
原裝正品現貨
 詢價
更多IRL3103L供應商 更新時間2025-2-2 17:06:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多