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IRL3705NSTRLPBF	文件：303.25 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive	IRF International Rectifier	IRF
IRL3705Z	文件：338.96 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL3705Z	文件：296.88 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRL3705ZL	文件：296.88 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRL3705ZLPBF	文件：289.46 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRL3705ZPBF	文件：382.97 Kbytes Page：12 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL3705ZPBF	文件：289.46 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRL3705ZS	文件：296.88 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRL3705ZS	文件：299.88 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRL3705ZSPBF	文件：289.46 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0m? ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoper	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3705	文件：260.269 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLI3705	文件：107.56 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3705N	文件：107.56 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI3705N	文件：299.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLI3705NPBF	文件：1.36774 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRLR3705Z	文件：286.6 Kbytes Page：11 Pages	SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3705Z	文件：335.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRLR3705ZPBF	文件：346.53 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
IRL3705NSTRL
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多IRL3705NSTRL供應商更新時間2025-1-10 15:21:00

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