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IRLD110	文件：169.79 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLD110	文件：1.51091 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLD110_V01	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLD110PBF	文件：1.74406 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLD110PBF	文件：1.51091 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLD110PBF	文件：791.72 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL110	文件：217.28 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=1.5A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?Dynamicdv/dtRating ?RepetitiveAvalanche	IRF International Rectifier	IRF
IRLL110	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL110	文件：694.08 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ?VDS(V)=100V ?RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRLL110PBF	文件：203.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalan	IRF International Rectifier	IRF
IRLL110PBF	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL110TR	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL110TR	文件：694.08 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET FEATURES ?Surfacemount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ?VDS(V)=100V ?RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
IRLL110TRPBF	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLL110TRPBF	文件：930.08 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
IRLL110TRPBFA	文件：358.68 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLM110A	文件：227.25 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLR110	文件：2.09526 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLR110	文件：175.45 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRLD110
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	IRLD110	IR	24+	DIP-4	33	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRLD110	IR	2021+	DIP-4	6800	原廠原裝,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRLD110	IR	17+	CASE370-01	6200		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRLD110	IR	16+	原廠封裝	2000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRLD110	IOR	24+	DIP-4P	315		詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IRLD110	IR	23+	DIP-4	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRLD110	IR	2020+	DIP	1560	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存本公司只做原裝可	詢價(jià)
深圳市鑫宇楊電子科技有限公司	IRLD110	IR	2020+	DIP4	350000	100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRLD110	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	IRLD110	IR	19+	DIP-4	75203	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)

更多IRLD110供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:36:00

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