首頁 >IRLD110>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IRLR110

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR110A

AdvancedPowerMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.44? ID=4.7A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):0.336?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLR110A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLR110ATF

$GYDQFHG3RZHU026)(7

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLR110PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLR110PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR110PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR110TR

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR110TRL

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLR110TRLPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRLD110

  • 功能描述：

    MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
24+
DIP-4
33
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
2021+
DIP-4
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價
IR
99+
DIP-4
33
深圳原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
IR
17+
CASE370-01
6200
詢價
IR
24+
原廠封裝
2000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IOR
24+
DIP-4P
315
詢價
IR
23+
DIP-4
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
IR
2020+
DIP
1560
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
IR
2020+
DIP4
350000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
IRF
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
更多IRLD110供應(yīng)商 更新時間2025-5-5 16:36:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多