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IRFRU3910	文件：141.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFRU3910	文件：152.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3910	文件：3.73438 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3910	文件：247.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFU3910	文件：141.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3910PBF	文件：393.26 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3910PBF	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3910PBF	文件：1.01321 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRFU3910PBF	文件：4.00169 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
JCS3910	文件：1.36641 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3910R-O-R-N-A	文件：1.36641 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3910R-O-R-N-B	文件：1.36641 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3910V-O-V-N-B	文件：1.36641 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
KSMU3910	文件：645.08 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LEO3910	文件：2.46408 Mbytes Page：21 Pages	Rad-hardplastic2Apositivelowdropvoltageregulator Features ?Operatinginputvoltagefrom3Vto12V ?Adjustableoutputvoltagefrom1.23Vto9V ?Low-dropoutvoltage:0.35V@IO=400mA ?Overtemperatureprotection ?Overcurrentprotection ?Adjustablecurrentlimitation ?Inhibit(ON/OFF)TTL-compatiblecontrol ?Goldbonding ?N	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
LEO3910PDT	文件：2.46408 Mbytes Page：21 Pages	Rad-hardplastic2Apositivelowdropvoltageregulator Features ?Operatinginputvoltagefrom3Vto12V ?Adjustableoutputvoltagefrom1.23Vto9V ?Low-dropoutvoltage:0.35V@IO=400mA ?Overtemperatureprotection ?Overcurrentprotection ?Adjustablecurrentlimitation ?Inhibit(ON/OFF)TTL-compatiblecontrol ?Goldbonding ?N	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
LEO3910PDT-D	文件：2.46408 Mbytes Page：21 Pages	Rad-hardplastic2Apositivelowdropvoltageregulator Features ?Operatinginputvoltagefrom3Vto12V ?Adjustableoutputvoltagefrom1.23Vto9V ?Low-dropoutvoltage:0.35V@IO=400mA ?Overtemperatureprotection ?Overcurrentprotection ?Adjustablecurrentlimitation ?Inhibit(ON/OFF)TTL-compatiblecontrol ?Goldbonding ?N	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
LP3910	文件：2.9629 Mbytes Page：72 Pages	PowerManagementICforHard-Drive-BasedPortableMediaPlayers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LP3910SQ-AA/NOPB	文件：2.9629 Mbytes Page：72 Pages	PowerManagementICforHard-Drive-BasedPortableMediaPlayers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LP3910SQ-AK/NOPB	文件：2.9629 Mbytes Page：72 Pages	PowerManagementICforHard-Drive-BasedPortableMediaPlayers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRFR3910TRR
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFR3910TRR	IR	24+	TO-252	36800		詢價
深圳市華來深電子有限公司	IRFR3910TRR	IR	23+	TO-252	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	IRFR3910TRR	Infineon Technologies	21+	D-Pak	3000	100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!	詢價
深圳市科雨電子有限公司	IRFR3910TRR	INFINEON	1503+	TO-252	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	IRFR3910TRR	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRFR3910TRR	Infineon Technologies	22+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市芯福林電子科技有限公司	IRFR3910TRR	Infineon Technologies	21+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFR3910TRR	Infineon Technologies	23+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	IRFR3910TRR	ir	2023+	TO-252	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	IRFR3910TRR	Infineon Technologies	24+	原裝	5000	原裝正品,提供BOM配單服務(wù)	詢價

更多IRFR3910TRR供應(yīng)商更新時間2024-12-26 16:30:00

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