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IRFU3911	文件：102.78 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3911	文件：3.70826 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3911	文件：3.71539 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3911PBF	文件：4.20115 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3911PBF	文件：3.84086 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3911PBF	文件：221.45 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
K3911	文件：193.16 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications ?Smallgatecharge:Qg=60nC(typ.) ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.22?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=11S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=500μA(VDS=600V) ?Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
KTC3911	文件：568.6 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(LOWNOISEAMPLIFIER) LOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES ·HighVoltage:VCEO=120V. ·ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ·HighhFE:hFE=200～700. ·LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ·ComplementarytoKTA1517.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTC3911S	文件：375.7 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KTC3911S	文件：107.14 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTORLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION LOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES ?HighVoltage:VCEO=120V. ?ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ?HighhFE:hFE=200～700. ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ?ComplementarytoKTA1517S.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
LM3911	文件：210.1 Kbytes Page：8 Pages	LM3911TemperatureController	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LM3911N	文件：210.1 Kbytes Page：8 Pages	LM3911TemperatureController	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
MCP3911	文件：1.85233 Mbytes Page：72 Pages	3.3VTwo-ChannelAnalogFrontEndx1null Description TheMCP3911isa2.7Vto3.6VdualchannelAnalogFrontEnd(AFE)containingtwosynchronoussamplingDelta-SigmaAnalog-to-DigitalConverters(ADC),twoPGAs,phasedelaycompensationblock,low-driftinternalvoltagereference,modulatoroutputblock,digitaloffsetandgainerrors	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
OM3911NTM	文件：39.12 Kbytes Page：4 Pages	3.0AMPPOSITIVEADJUSTABLEVOLTAGEREGULATORAPPROVEDTODESCDRAWING5962-87675 [Omnirel] DESCRIPTION ThesethreeterminalpositiveregulatorsapprovedbyDESC,aresuppliedinahermeticallysealedisolated,metalTO-257package.Allprotectivefeaturesaredesignedintothecircuitincludingthermalshutdown,currentlimitingandsafeareacontrol.Withheatsinking,they	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
OM3911STM	文件：39.12 Kbytes Page：4 Pages	3.0AMPPOSITIVEADJUSTABLEVOLTAGEREGULATORAPPROVEDTODESCDRAWING5962-87675 [Omnirel] DESCRIPTION ThesethreeterminalpositiveregulatorsapprovedbyDESC,aresuppliedinahermeticallysealedisolated,metalTO-257package.Allprotectivefeaturesaredesignedintothecircuitincludingthermalshutdown,currentlimitingandsafeareacontrol.Withheatsinking,they	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
OM3911STM/NTM	文件：39.12 Kbytes Page：4 Pages	3.0AMPPOSITIVEADJUSTABLEVOLTAGEREGULATORAPPROVEDTODESCDRAWING5962-87675 [Omnirel] DESCRIPTION ThesethreeterminalpositiveregulatorsapprovedbyDESC,aresuppliedinahermeticallysealedisolated,metalTO-257package.Allprotectivefeaturesaredesignedintothecircuitincludingthermalshutdown,currentlimitingandsafeareacontrol.Withheatsinking,they	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
P3911	文件：126.17 Kbytes Page：4 Pages	ADSLTransformer	ETAL ETAL Group	ETAL
PE3911	文件：266.21 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLY,RG188A/U,SMAMALETONMALE CABLEASSEMBLY,RG188A/U,SMAMALETONMALE	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE3911LF	文件：275.68 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG188A/USMAMALETONMALE(LEADFREE) CABLEASSEMBLY,RG188A/U,SMAMALETONMALE(LEADFREE)	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PT3911	文件：335.28 Kbytes Page：1 Pages	DoubleCoilFanDriver	PROLIFICProlific Technology Inc. 旺玖科技旺玖科技股份有限公司	PROLIFIC

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詳細參數(shù)

型號：
IRFR3911TRL
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市華來深電子有限公司	IRFR3911TRLPBF	IR	23+	TO-252	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
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深圳市易訊博科技有限公司	IRFR3911TRLPBF	Infineon	22+	NA	2118	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價
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易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	IRFR3911TRLPBF	Infineon Technologies	23+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原裝正品，支持實單	詢價

更多IRFR3911TRL供應商更新時間2025-1-14 14:00:00

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