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IRFU3911PBF	文件：221.45 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFU3911PBF	文件：4.20115 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU3911PBF	文件：3.84086 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
K3911	文件：193.16 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications ?Smallgatecharge:Qg=60nC(typ.) ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.22?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=11S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=500μA(VDS=600V) ?Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
KTC3911	文件：568.6 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(LOWNOISEAMPLIFIER) LOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES ·HighVoltage:VCEO=120V. ·ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ·HighhFE:hFE=200～700. ·LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ·ComplementarytoKTA1517.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC3911S	文件：375.7 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC3911S	文件：107.14 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTORLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION LOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION. FEATURES ?HighVoltage:VCEO=120V. ?ExcellenthFELinearity :hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). ?HighhFE:hFE=200～700. ?LowNoise:NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). ?ComplementarytoKTA1517S.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
LM3911	文件：210.1 Kbytes Page：8 Pages	LM3911TemperatureController	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LM3911N	文件：210.1 Kbytes Page：8 Pages	LM3911TemperatureController	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
MCP3911	文件：1.85233 Mbytes Page：72 Pages	3.3VTwo-ChannelAnalogFrontEndx1null Description TheMCP3911isa2.7Vto3.6VdualchannelAnalogFrontEnd(AFE)containingtwosynchronoussamplingDelta-SigmaAnalog-to-DigitalConverters(ADC),twoPGAs,phasedelaycompensationblock,low-driftinternalvoltagereference,modulatoroutputblock,digitaloffsetandgainerrors	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFU3911PBF
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK
RoHS：
是
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRFU3911PBF	IR	24+	TO-251	294		詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRFU3911PbF	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IRFU3911PBF	IR	23+	TO-251	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IRFU3911PBF	INFINEON	1503+	TO-251	3000	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
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