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IRFSL3307

HEXFET Power MOSFET

Benefits ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ?EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ?HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ?UninterruptiblePowerSupply ?HighSpeed

IRF

International Rectifier

IRFSL3307ZPBF

HEXFET Power MOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching

IRF

International Rectifier

IRFSL3307ZPBF

HEXFETPowerMOSFET

Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching

IRF

International Rectifier

LTC3307A

1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP

FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode?orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3307A

5V,15ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mm×3mmLQFN

FEATURES -LayoutCompatiblewithLTC3310/LTC3311Family -SilentSwitcher?Architecture -UltralowEMIEmissions -HighEfficiency:3mΩNMOSand8mΩPMOS -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3307A

5V,Dual4A/Dual-Phase8AStep-DownDC/DCRegulatorin2.2mm×2.7mmWLCSP

FEATURES -Dual4AOutputs -ConfigurableasSingleOutput,2-Phase8ABuck -HighEfficiency:12mΩHigh-Sideand8mΩLow-Side -±1MaximumTotalDCOutputError -WideBandwidth,FastTransientResponse -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0.5VtoVIN -ProgrammableFrequencyto3MHz

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3307A

5V,2ASynchronousStep-DownRegulatorin2mm×2mmFCQFN

FEATURES -HighEfficiency:30mΩNMOS,85mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -27nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -Low-RippleBurstMode?OperationwithIQof80μA -Upto6MHzOperation -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3307A

5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3307A

5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcher2in3mmx3mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

LTC3307A

Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm?2mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRFSL3307

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V 130A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
2015+
TO-262
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
IR
24+
TO-262
8866
詢價(jià)
IR
23+
TO-262
11033
全新原裝
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
IR
23+
TO-262-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
IR
1822+
TO-262
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
IR
18+
TO-262
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)
 詢價(jià)
IR
24+
TO-262
16800
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?
 詢價(jià)
INFINEON
1503+
TO-262
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
IR
23+
TO-262
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
更多IRFSL3307供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 11:03:00

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