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MDF9N60	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60B	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60BTH	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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MDF9N60TH	文件：323.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MDP9N60	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP9N60TH	文件：991.31 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP9N60TH	文件：332.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
MTN9N60BFP	文件：461.23 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
PHB9N60E	文件：41.63 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB9N60E	文件：102.87 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHB9N60E	文件：345.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
PHP9N60E	文件：372.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
PHP9N60E	文件：1.10597 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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SIHD9N60E	文件：196.36 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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詳細參數

型號：
IRFSL9N60ATRR
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
-
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科雨電子有限公司	IRFSL9N60ATRR	VISHAY	1503+	TO-262	3000	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
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