IRFU4105Z中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFU4105Z規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, thi MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFU4105Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
4038 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
6000 |
原裝現(xiàn)貨正品 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
TO251 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價 | ||
IR |
2022 |
TO-251 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
TO-251 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
IR |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價 |
