首頁>IRFU9N20DPBF>規(guī)格書詳情
IRFU9N20DPBF中文資料KERSEMI數據手冊PDF規(guī)格書
IRFU9N20DPBF規(guī)格書詳情
Benefits
● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)
● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Applications
● High frequency DC-DC converters
● Lead-Free
產品屬性
- 型號：
IRFU9N20DPBF
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
renesas |
2023+ |
TO-251 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
NA/ |
748 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IR |
13+ |
TO-251 |
748 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-251 |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
IR |
22+23+ |
TO-251 |
27294 |
絕對原裝正品全新進口深圳現貨 |
詢價 | ||
IR |
06+ |
TO-251 |
1500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
107 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
811 |
詢價 | |||
IR |
2018+ |
TO251 |
6528 |
只做原裝正品假一賠十!只要網上有上百分百有庫存放心 |
詢價 | ||
IR |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
進口原裝現貨供應,原裝 假一罰十 |
詢價 |
