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IRFU9N20DPBF | HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free | IRF International Rectifier | IRF | |
IRFU9N20DPBF | SMPS MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | |
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
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詳細參數(shù)
- 型號:
IRFU9N20DPBF
- 功能描述:
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標準包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IR |
24+ |
TO-251 |
107 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
IR |
13+ |
TO-251 |
748 |
深圳原裝進口無鉛現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-251 |
811 |
詢價 | |||
IR |
23+ |
I-PAK |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢 |
詢價 | ||
IR |
2018+ |
TO251 |
6528 |
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IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
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23+ |
TO251 |
8650 |
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IR |
22+23+ |
TO-251 |
27294 |
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詢價 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
IR |
24+ |
TO-251 |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 |
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