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IRL620	文件：452.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=5.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.80? ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
IRL620	文件：2.03127 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.80 Qg(Max.)(nC)16 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)9.6 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620	文件：2.20214 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620	文件：2.20053 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620	文件：1.23235 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 N	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620A	文件：222 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.8? ID=5A FEATURES ?Logic-LevelGateDrive ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ?LowerRDS(ON):0.609?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRL620A	文件：280.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL620PBF	文件：2.03127 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.80 Qg(Max.)(nC)16 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)9.6 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620PBF	文件：1.3385 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.80? ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
IRL620PBF	文件：2.20053 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620S	文件：502 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=5.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.80? ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurface-mountpowerpackagecapableofa	IRF International Rectifier	IRF
IRL620S	文件：1.47104 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620S	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620SPBF	文件：1.39136 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.80? ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurface-mountpowerpackagecapableofa	IRF International Rectifier	IRF
IRL620SPBF	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL620STRLPBFA	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLHM620	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallPowIRMOSFETs	IRF International Rectifier	IRF
IRLHM620PBF	文件：222.27 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRLHM620TRPBF	文件：222.27 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRFW620BTM
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市正邁科技有限公司	IRFW620BTM	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	1600	原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢庫存	詢價(jià)
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深圳廊盛科技有限公司	IRFW620BTMMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	FAIRCHILD/仙童	2022	SOT-263	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)

更多IRFW620BTM供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 9:12:00

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