IRFZ34N中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
IRFZ34N規(guī)格書(shū)詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Ease of Paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRFZ34N
- 功能描述：
MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
TO-220 |
3200 |
原裝長(zhǎng)期供貨! |
詢價(jià) | |||
IR |
2023+ |
TO-220 |
5800 |
進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱賣 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-220 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
12+ |
TO-220 |
2500 |
原裝現(xiàn)貨/特價(jià) |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TO-220 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
IR原裝 |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
NA |
19+ |
75110 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | |||
IR |
23+ |
NA/ |
15 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢價(jià) |
