IRFZ46ZS中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFZ46ZS規(guī)格書詳情
Description
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET? Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Features
● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFZ46ZS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
詢價(jià) | |||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501435 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
IR |
2023+ |
D2-PAK |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原裝 |
7000 |
詢價(jià) | |||
IR |
2022+ |
D2-PAK |
48000 |
只做原裝,原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
D2-pak |
20000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
2112+ |
D2PAK |
115000 |
800個(gè)/卷一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
