IRFZ48L中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRFZ48L規(guī)格書詳情
Description
Advanced HEXFET?Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
1. Advanced Process Technology
2. Ultra Low On-Resistance
3. Dynamic dv/dt Rating
4. 175°C Operating Temperature
5. Fast Switching
6. Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRFZ48L
- 功能描述：
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
16800 |
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詢價(jià) | ||
IOR |
24+ |
TO-220 |
2987 |
絕對全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)! |
詢價(jià) | ||
IR |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
IOR |
05+ |
TO-220 |
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原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
2150 |
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IR |
24+ |
TO220 |
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詢價(jià) | ||
IR |
19+ |
TO-220 |
75118 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
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IOR |
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TO-220 |
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詢價(jià) | ||
IRF |
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NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) |
