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IRG4BC15MDPBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRG4BC15MDPBF
廠商型號

IRG4BC15MDPBF

參數(shù)屬性

IRG4BC15MDPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 49W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

261.29 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 23:00:00

IRG4BC15MDPBF規(guī)格書詳情

Features

? Rugged: 10μsec short circuit capable at VGS = 15V

? Low VCE(on) for 4 to 10kHz applications

? IGBT co-packaged with ultra-soft-recovery anti-parallel diodes

? Industry standard TO-220AB package

? Lead-Free

Benefits

? Best Value for Appliance and Industrial applications

? Offers highest efficiency and short circuit capability for intermediate applications

? Provides best efficiency for the mid range frequency (4 to 10kHz)

? Optimized for Appliance and Industrial applications up to 1HP

? High noise immune Positive Only gate drive - Negative bias gate drive not necessary

? For Low EMI designs - requires little or no snubbing

? Single Package switch for bridge circuit applications

? Compatible with high voltage Gate Drive ICs

? Allows simpler gate drive

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC15MDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,8.6A

  • 開關(guān)能量:

    320μJ(開),1.93mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    21ns/540ns

  • 測試條件:

    480V,8.6A,75 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 49W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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