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IRG4BC20W-SPBF分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20W-SPBF
廠商型號

IRG4BC20W-SPBF
參數(shù)屬性

IRG4BC20W-SPBF 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 13A 60W D2PAK
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
文件大小

212.93 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網
原廠標識
數(shù)據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-3 11:21:00

IRG4BC20W-SPBF規(guī)格書詳情

Features

? Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications

? Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies

? 50 reduction of Eoff parameter

? Low IGBT conduction losses

? Latest-generation IGBT design and construction offers tighter parameters distribution, exceptional reliability

? Lead-Free

Benefits

? Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150kHz (hard switched mode)

? Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher

? Low conduction losses and minimal minority-carrier recombination make these an excellent option for resonant mode switching as well (up to >>300kHz)

產品屬性

  • 產品編號：

    IRG4BC20W-SPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，6.5A

  • 開關能量：

    60μJ（開），80μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    22ns/110ns

  • 測試條件：

    480V，6.5A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 13A 60W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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