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IRG4BC20UD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20UD
廠商型號(hào)

IRG4BC20UD

參數(shù)屬性

IRG4BC20UD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 13A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

236.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-1 18:01:00

IRG4BC20UD規(guī)格書詳情

Features

? UltraFast: optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

? Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFRED? ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard TO-220AB package

Benefits

? Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies

available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs. Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4BC20UD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,6.5A

  • 開關(guān)能量:

    160μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    39ns/93ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,6.5A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 60W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
24+
TO-220AB
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TO-220(TO-220-3)
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IR
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TO-220-3
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TO-220
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