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IRG4BC20MD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC20MD
廠商型號(hào)

IRG4BC20MD

參數(shù)屬性

IRG4BC20MD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 18A 60W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

251.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-8 14:15:00

IRG4BC20MD規(guī)格書詳情

Features

? Rugged: 10μsec short circuit capable at VGS=15V

? Low VCE(on) for 4 to 10kHz applications

? IGBT Co-packaged with ultra-soft-recovery antiparallel diode

? Industry standard TO-220AB package

Benefits

? Offers highest efficiency and short circuit capability for intermediate applications

? Provides best efficiency for the mid range frequency (4 to 10kHz)

? Optimized for Appliance Motor Drives, Industrial (Short Circuit Proof) Drives and Intermediate Frequency Range Drives

? High noise immune Positive Only gate drive Negative bias gate drive not necessary

? For Low EMI designs- requires little or no snubbing

? Single Package switch for bridge circuit applications

? Compatible with high voltage Gate Driver ICs

? Allows simpler gate drive

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4BC20MDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,11A

  • 開關(guān)能量:

    410μJ(開),2.03mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    21ns/463ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,11A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 18A 60W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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