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IRG4BC20K-S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG4BC20K-S
廠商型號(hào)

IRG4BC20K-S

參數(shù)屬性

IRG4BC20K-S 封裝/外殼為T(mén)O-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

162.34 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-8 14:15:00

IRG4BC20K-S規(guī)格書(shū)詳情

Features

? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

? Combines low conduction losses with high switching speed

? Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

Benefits

? As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI / Noise and switching losses in the Diode and IGBT

? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

? This part replaces the IRGBC20K-S and IRGBC20M-S devices

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4BC20K-S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    150μJ(開(kāi)),250μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    28ns/150ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,9A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
2020+
TO-263
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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30000
百域芯優(yōu)勢(shì) 實(shí)單必成 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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