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IRG4BC20FD-S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRG4BC20FD-S
廠商型號

IRG4BC20FD-S

參數(shù)屬性

IRG4BC20FD-S 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 16A 60W D2PAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

文件大小

222.11 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-15 23:00:00

IRG4BC20FD-S規(guī)格書詳情

Features

? Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).

? Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

? Industry standard D2Pak package

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

? IGBTs optimized for specific application conditions

? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

? Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG4BC20FD-S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,9A

  • 開關(guān)能量:

    250μJ(開),640μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    43ns/240ns

  • 測試條件:

    480V,9A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
21+
TO-263
30490
原裝現(xiàn)貨庫存
詢價
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23+
NA/
11
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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23+
D2-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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21+
TO-263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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SOT-263
6294
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2022
TO-263
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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D2-PAK
50000
原裝現(xiàn)貨
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