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IRG4BC30FD1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC30FD1 |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC30FD1 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE |
| 文件大小 |
361.71 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
| 企業(yè)簡稱 |
IRF |
| 中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-3 16:31:00 |
IRG4BC30FD1規(guī)格書詳情
Fast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC30FD1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，17A
- 開關能量：
370μJ（開），1.42mJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
22ns/250ns
- 測試條件：
480V，17A，23 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220AB |
16800 |
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
NA |
99181 |
鄭重承諾只做原裝進口貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
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Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB |
9000 |
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IR |
1922+ |
TO-220 |
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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INFINEON/英飛凌 |
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INFINEON/英飛凌 |
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NA |
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INFINEON/英飛凌 |
NA |
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原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價 |
