20kHz resonant mode、英飛凌/INFINEON/英飛凌IRG4BC30FD1PBF價格由深圳市鼎欣微電子有限公司提供">

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IRG4BC30FD1PBF 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

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原廠料號：IRG4BC30FD1PBF品牌：INFINEON/英飛凌

原廠原包裝。假一罰十。可開13%增值稅發(fā)票。

IRG4BC30FD1PBF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/TO-220-3的IRG4BC30FD1PBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IRG4BC30FD1PBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    415.83 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC30FD1PBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，17A

  • 開關能量：

    370μJ（開），1.42mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    22ns/250ns

  • 測試條件：

    480V，17A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市鼎欣微電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張女士

  • 手機：

    13430686613

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82719276

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅上步工業(yè)區(qū)102棟6004

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