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IRG4BC30FD1PBF

Fast CoPack IGBT

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultralo

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD1PBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD1PBF

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 31A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30FD1PBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD1

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE

FastCoPackIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30FD1PBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，17A

  • 開關(guān)能量：

    370μJ（開），1.42mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    22ns/250ns

  • 測試條件：

    480V，17A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO-220-3
96
詢價(jià)
IR
23+
TO-220AB
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價(jià)
Infineon
18+
NA
3245
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價(jià)
IRF
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
International Rectifier
2022+
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
Infineon
1931+
N/A
493
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 詢價(jià)
INFINEON
1809+
TO-220
1675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
Infineon
22+
NA
214
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 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
NA
12820
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價(jià)
Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
更多IRG4BC30FD1PBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 16:30:00

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