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IRG4BH20K-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-SPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-SPBF

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 11A 60W D2PAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BH20K-SPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-L

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-LPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-LPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(VCES=1200V,VCE(on)typ.=3.17V,@VGE=15V.Ic=5.0A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs@VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

IRF

International Rectifier

IRG4BH20K-S

TrenchField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.4V(Typ)@IC=5A ·LowSwitchingLosses ·VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·Homeappliances ·Lighting

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRG4BH20K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

IRF

International Rectifier

產品屬性

  • 產品編號:

    IRG4BH20K-SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4.3V @ 15V,5A

  • 開關能量:

    450μJ(開),440μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    23ns/93ns

  • 測試條件:

    960V,5A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 1200V 11A 60W D2PAK

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
23+
D2PAK
7750
全新原裝優(yōu)勢
詢價
Infineon
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
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23+
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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TO-263
12000
VISHAY專營進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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International Rectifier
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2
全新原裝 貨期兩周
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Infineon
22+
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更多IRG4BH20K-SPBF供應商 更新時間2025-2-2 9:18:00