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IRG4RC20FTRPBF

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4RC20F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.82V,@Vge=15V,Ic=12A)

FastSpeedIGBT Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. ?IndustrystandardTO-252AApackage ?Co

IRF

International Rectifier

IRG4RC20FPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerationIGBTs. ?IndustrystandardTO-252AApackage. ?Combinessverylo

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4RC20FTRPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    190μJ（開），920μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    26ns/194ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，12A，50 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D-Pak

  • 描述：

    IGBT 600V 22A 66W DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
17+
TO-252
6200
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ROHS+Original
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈/QQ 350053121 /正納電子
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2022+
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Infineon Technologies
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更多IRG4RC20FTRPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-28 8:30:00

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